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MMF60R580PTH	文件：322.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMF60R580PTH	文件：1.09759 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.09759 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R580PTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
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MMF60R580QTH	文件：1.41328 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.41328 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R580QTH	文件：323.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：323.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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