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MMDT5401	文件：533.52 Kbytes Page：2 Pages	Multi-Chip (PNPPNP) Transistor 文件：533.52 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
MMDT5401	文件：248.45 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors 文件：248.45 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MMDT5401	文件：231.59 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors 文件：231.59 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MMDT5401	文件：81.4 Kbytes Page：4 Pages	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：81.4 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMDT5401	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Bipolar Transistor The UTC MMDT5401 is a high voltage fast-switching dualPNP transistor. It is characterized with high breakdown voltage, high current gain and high switching speed.	UTC 友顺	UTC
MMDT5401	文件：300 bytes Page：1 Pages	双晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
MMDT5401	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
MMDT5401_2	文件：170.99 Kbytes Page：4 Pages	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (MMDT5551) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) • Green Device (Note 4 and 5) 文件：170.99 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMDT5401-7-F	文件：170.99 Kbytes Page：4 Pages	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (MMDT5551) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) • Green Device (Note 4 and 5) 文件：170.99 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMDT5401G-AL6-R	文件：110.52 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 5401 is a high voltage fast-switching dual PNP transistor. It is characterized with high breakdown voltage, high current gain and high switching speed. FEATURES * High Collector-Emitter Voltage: VCEO=-150V * High current gain 文件：110.52 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
MMDT5401Q
Product Type：
PNP + PNP
IC (A)：
0.2 A
ICM (A)：
N/A A
PD (W)：
0.2 W
hFE (min)：
60 Min
hFE(@ IC)：
0.01 A
hFE(Min 2)：
50
hFE(@ IC2)：
0.05 A
VCE (SAT)Max (mV)：
200 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.1/10
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.05/5
fT (MHz)：
100
VCE (SAT)(Max.2)：
500 mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT363

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