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MMBV3700LT1G中文资料High Voltage Silicon Pin Diodes数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBV3700LT1G

参数属性

MMBV3700LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE PIN 200V 200MW SOT23-3

功能描述

High Voltage Silicon Pin Diodes
RF DIODE PIN 200V 200MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-28 14:18:00

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MMBV3700LT1G规格书详情

简介

MMBV3700LT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的MMBV3700LT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MMBV3700LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    PIN - 单

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    200V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 20V,1MHz

  • 不同 If、F 时电阻:

    1 欧姆 @ 10mA,100MHz

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    RF DIODE PIN 200V 200MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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