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MMBV3401LT1G数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBV3401LT1G |
| 参数属性 | MMBV3401LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：RF DIODE PIN 35V 200MW SOT23-3 |
| 功能描述 | Silicon Pin Diode |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | MMBV3401LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBV3401LT1G规格书详情
简介
MMBV3401LT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的MMBV3401LT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 产品编号：
MMBV3401LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
PIN - 单
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
35V
- 不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 20V，1MHz
- 不同 If、F 时电阻：
700 毫欧 @ 10mA，100MHz
- 工作温度：
125°C（TJ）
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF DIODE PIN 35V 200MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
10207 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
7503 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT-23 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+/25+ |
2625 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ON |
2015+ |
SOT23 |
5746 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
1948+ |
NA |
18562 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON |
22+ |
NA |
845 |
原装正品支持实单 |
询价 |
