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MMBV3102LT1G数据手册分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBV3102LT1G |
| 参数属性 | MMBV3102LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）；产品描述：DIODE TUNING SS 30V SOT23 |
| 功能描述 | Silicon Tuning Diode |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 20:00:00 |
| 人工找货 | MMBV3102LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBV3102LT1G规格书详情
简介
MMBV3102LT1G属于分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）。由制造生产的MMBV3102LT1G二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类，并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小，并且能够用作可变电容二极管，但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。
技术参数
更多- 产品编号：
MMBV3102LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vr、F 时电容：
25pF @ 3V，1MHz
- 电容比条件：
C3/C25
- 二极管类型：
单路
- 不同 Vr、F 时 Q 值：
200 @ 3V，50MHz
- 工作温度：
125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
DIODE TUNING SS 30V SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
SOT-23 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
24+/25+ |
538 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
8540 |
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询价 | |||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
13000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
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询价 |
