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MMBV2101中文资料Silicon Tuning Diode数据手册LRC规格书

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厂商型号

MMBV2101

参数属性

MMBV2101 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器);产品描述:DIODE TUNING SS 30V SOT23

功能描述

Silicon Tuning Diode

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

LRC Leshan Radio Company

中文名称

乐山无线电 乐山无线电股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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MMBV2101规格书详情

描述 Description

These devices are designed in the popular PLASTIC PACKAGE for high volumerequirements of FM Radio and TV tuning and AFC, general frequency control andtuning applications.They provide solid–state reliability in replacement of mechanical tuning methods. Also available in Surface Mount Package up to 33pF.
• High Q
• Controlled and Uniform Tuning Ratio
• Standard Capacitance Tolerance —10%
• Complete Typical Design Curves

技术参数

  • 产品编号:

    MMBV2101LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    7.5pF @ 4V,1MHz

  • 电容比条件:

    C2/C30

  • 二极管类型:

    单路

  • 不同 Vr、F 时 Q 值:

    450 @ 4V,50MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE TUNING SS 30V SOT23

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