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ADG918BCP	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM	文件：570.61 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM-REEL	文件：570.61 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRMZ	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRMZ-REEL	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
CMBT918	文件：132.42 Kbytes Page：3 Pages	VHF/UHFTRANSISTOR	CDIL CDIL	CDIL
CMBT918	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
CMPT918	文件：78.02 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT918typeisanNPNsiliconRFtransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighfrequency(VHF/UHF)amplifierandoscillatorapplications. MARKINGCODE:C3B	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT918	文件：450.73 Kbytes Page：2 Pages	NPN-RFTransistorChip SmallSignalTransistor NPN-RFTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize14.5x14.5MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea2.4x2.2MILS EmitterBondin	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CT918CYF	文件：163.76 Kbytes Page：1 Pages	PowerInductors-Shielded Description:SMD(shielded)powerinductor Applications:PowersuppliesforVTR,OAequipment,LCDtelevisions,PCnotebooks,portablecommunicationequipment,DC/DCconverters,etc.	CTCentral Technologies 中基科技中基科技（香港）有限公司	CT
CVXO-918T	文件：113.47 Kbytes Page：1 Pages	VoltageControlledCrystalOscillator	CRYSTEKCRYSTAL Crystek Corporation	CRYSTEKCRYSTAL
EVAL-ADG918EBZ	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FMMT918	文件：52.92 Kbytes Page：1 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
FMMT918	文件：47.26 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT918TA	文件：52.92 Kbytes Page：1 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
G918	文件：49.87 Kbytes Page：1 Pages	300mAHighPSRR,LowNoise,LDORegulators	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技	GMT
H918	文件：229.37 Kbytes Page：3 Pages	6.35mmBaseLampholders	GILWAY Gilway Technical Lamp	GILWAY
IRKT/918A	文件：238.18 Kbytes Page：10 Pages	ADD-A-pak-TMGENVPowerModules	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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晶体管资料

型号：
MMBT918
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_宽频带放大（A）
封装形式：
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DG122D,
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
30
htest：
999900
atest：
.05
wtest：
.35

产品属性

产品编号：
MMBT918
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
600MHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
6dB @ 60MHz
增益：
15dB
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 3mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMBT918	onsemi(安森美)	23+	SOT-23(TO-236)	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	MMBT918	FAIRCHILD/仙童	2019+	SOT-23	36000	原盒原包装可BOM配套	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	MMBT918	PANJIT/强茂	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	MMBT918	PANJIT/强茂		SOT23	7906200		询价
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深圳市一线半导体有限公司	MMBT918	FAIRCHIL		SOT-23	500	真实现货库存	询价
深圳市弘为电子有限公司	MMBT918	FAIRCHILD	16+	原装进口原厂原包接受订货	30000	原装现货假一罚十	询价
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深圳市达恩科技有限公司	MMBT918	ONSemiconductor	18+	NA	3557	进口原装正品优势供应QQ3171516190	询价
深圳中芯器材有限公司	MMBT918	fsc	dc12	原厂封装	18000	INSTOCK:3000/tr/smd	询价

更多MMBT918供应商更新时间2024-6-6 22:59:00

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