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MMBT6520LT3G	文件：141.52 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：141.52 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT3G	文件：122.33 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：122.33 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520_15	文件：1.35696 Mbytes Page：4 Pages	PNP Transistors 文件：1.35696 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MMBT6520-3_15	文件：1.39783 Mbytes Page：4 Pages	PNP Transistors 文件：1.39783 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MMBT6520L	文件：301.17 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors 文件：301.17 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMBT6520L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压 PNP 双极晶体管 The High Voltage PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications. • Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life\n• Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
350
VCBO (V)：
350
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.9
VBE(on) (V)：
2
hFE Min：
30
hFE Max：
200
fT Min (MHz)：
40
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MMBT6520	ON/　HSMC	24+		5000	公司存货	询价
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