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MMBT6520LT3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT3G	文件：122.33 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：122.33 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT3G	文件：141.52 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：141.52 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT6520LT3
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
托盘
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 50mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMBT6520LT3	onsemi	25+	SOT-23-3(TO-236)	18798	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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