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MMBT6520L	文件：141.52 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：141.52 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520L	文件：327.38 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -350V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE=30(Min)@ (VCE= -10V, IC= -10mA) ·Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max)@ (IC= -30mA, IB= -3mA) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：327.38 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMBT6520L	文件：301.17 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors 文件：301.17 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMBT6520LT1	文件：167.1 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor(PNP Silicon) High Voltage Transistor PNP Silicon 文件：167.1 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT6520LT1	文件：231.58 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon 文件：231.58 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT6520LT1	文件：114.69 Kbytes Page：8 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon 文件：114.69 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT1G	文件：141.52 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：141.52 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT1G	文件：122.33 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：122.33 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT3G	文件：141.52 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：141.52 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6520LT3G	文件：122.33 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：122.33 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
350
VCBO (V)：
350
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.9
VBE(on) (V)：
2
hFE Min：
30
hFE Max：
200
fT Min (MHz)：
40
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MMBT6520L	ON/安森美	23+	SOT-23	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多MMBT6520L供应商更新时间2025-10-18 14:33:00

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