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MMBT5401L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高电压 PNP 双极晶体管 The High Voltage PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications. • These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant\n• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR PNP 150V	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5401LT3	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PNP 150V 0.5A SOT-23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5401LT3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5401LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
150
VCBO (V)：
160
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
1
hFE Min：
60
hFE Max：
240
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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