MMBT5401L中文资料高电压 PNP 双极晶体管数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MMBT5401L |
| 参数属性 | MMBT5401L 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3 |
| 功能描述 | 高电压 PNP 双极晶体管 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-9 22:59:00 |
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MMBT5401L规格书详情
描述 Description
The High Voltage PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
特性 Features
• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
简介
MMBT5401L属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的MMBT5401L晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBT5401L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.5
- IC Cont. (A)
：0.5
- VCEO Min (V)
：150
- VCBO (V)
：160
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：1
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：60
- hFE Max
：240
- fT Min (MHz)
：100
- PTM Max (W)
：0.225
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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