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MMBT5401L	文件：139.08 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401L-AE3-R	文件：84.47 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=-150V CollectorDissipation:Pc(max)=350mW *Highcurrentgain	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT5401LT1	文件：189.34 Kbytes Page：6 Pages	Marking：2L；Package：SOT-23；High Voltage Transistor HighVoltageTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT5401LT1	文件：164.83 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Transistor(PNP Silicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT5401LT1	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor(PNP Silicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1	文件：40.92 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheMMBT5401LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage.BVCEO=150V(@IC=1mA) •ComplementstoNPNTypeMMBT5551LT1.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT5401LT1	文件：44.6 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT5401LT1	文件：154.92 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT5401LT1	文件：330.96 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor FEATURE ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT5401LT1G	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor(PNP Silicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT5401L
功能描述：
两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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