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MMBT5089LT1G	文件：198.17 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Transistors NPN Silicon Low Noise Transistors NPN Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：198.17 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5089LT1G	文件：188.93 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Transistors Low Noise Transistors NPN Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：188.93 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5087	文件：345.91 Kbytes Page：2 Pages	丝印：2Q；Package：SOT-23；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors 文件：345.91 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT5087	文件：357.76 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：357.76 Kbytes 页数：3 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
MMBT5087	文件：100.03 Kbytes Page：9 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：100.03 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MMBT5087L	文件：234.84 Kbytes Page：7 Pages	Low Noise Transistor 文件：234.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5087LT1G	文件：234.84 Kbytes Page：7 Pages	Low Noise Transistor 文件：234.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5087LT3G	文件：234.84 Kbytes Page：7 Pages	Low Noise Transistor 文件：234.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5088	文件：301.83 Kbytes Page：6 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 文件：301.83 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBT5088_10	文件：301.83 Kbytes Page：6 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 文件：301.83 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC

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晶体管资料

型号：
MMBT5088
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_静噪放大（LN）_宽频带放大
封装形式：
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3CG120B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
35
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBT5088
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100µA，5V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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