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MMBT5086	文件：58.65 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50 mA. 文件：58.65 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MMBT5086	文件：70.79 Kbytes Page：2 Pages	PNP (LOW NOISE TRANSISTOR) PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW NOISE TRANSISTOR 文件：70.79 Kbytes 页数：2 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MMBT5087	文件：29.13 Kbytes Page：1 Pages	PNP (LOW NOISE TRANSISTOR) PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW NOISE TRANSISTOR 文件：29.13 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MMBT5087	文件：1.19791 Mbytes Page：14 Pages	XTR111 Demonstration Fixture Users Guide 2 Hardware Features This section describes the hardware features found on the XTR111EVM. 2.1 XTR111EVM The XTR111EVM is used for the basic functional evaluation of the XTR111. The EVM provides the following features: • Easy handling of the small DFN package. The DFN device is already soldered 文件：1.19791 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
MMBT5087	文件：58.65 Kbytes Page：6 Pages	丝印：2Q；Package：SOT-23；PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50 mA. 文件：58.65 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MMBT5087	文件：406.5 Kbytes Page：8 Pages	Low Noise Transistor Low Noise Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：406.5 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5087	文件：148.71 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose application 文件：148.71 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
MMBT5087	文件：836.53 Kbytes Page：7 Pages	Low Noise Transistor Low Noise Transistor PNP Silicon 文件：836.53 Kbytes 页数：7 Pages	YEASHIN 亚昕科技	YEASHIN
MMBT5087LT1	文件：165.64 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Transistor(PNP Silicon) Low Noise Transistor PNP Silicon 文件：165.64 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT5087LT1	文件：406.5 Kbytes Page：8 Pages	Low Noise Transistor Low Noise Transistor PNP Silicon 文件：406.5 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

晶体管资料

型号：
MMBT5088
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_静噪放大（LN）_宽频带放大
封装形式：
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3CG120B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
35
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBT5088
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100µA，5V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

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更多MMBT508供应商更新时间2026-10-26 16:46:00

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