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MMBT3906-Q	文件：220.41 Kbytes Page：10 Pages	40V,200mAPNPswitchingtransistor Featuresandbenefits •CollectorcurrentcapabilityIC=-200mA •Collector-emittervoltageVCEO=-40V •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications Applications •Generalswitchingandamplification	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MMBT3906RF	文件：382.28 Kbytes Page：4 Pages	350mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906RF	文件：229.24 Kbytes Page：5 Pages	350mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906RFG	文件：382.28 Kbytes Page：4 Pages	350mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906RFG	文件：229.24 Kbytes Page：5 Pages	350mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906SL	文件：142.55 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •Generalpurposeamplifiertransistor. •Ultrasmallsurfacemountpackageforalltypes(max0.43mmtall) •Suitableforgeneralswitching&amplification •Wellsuitedforportableapplication •Ascomplementarytype,NPNMMBT3904SLisrecommended. •Pbfree	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906T	文件：432.88 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906T	文件：133.92 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •Generalpurposeamplifiertransistor. •Ultra-SmallSurfaceMountPackageforalltypes. •Suitableforgeneralswitching&amplification •Wellsuitedforportableapplication •Ascomplementarytype,NPNMMBT3904Tisrecommended	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906T	文件：55.11 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-40V •IC=-200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMBT3904T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualif	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906T	文件：413.05 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistorPNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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