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MMDT3906	文件：184.59 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT3906	文件：195.71 Kbytes Page：2 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMDT3906	文件：59.47 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-40V •IC=-200mAHighCollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMDT3904 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Ha	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT3906	文件：431.4 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT3906	文件：240.65 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT3906	文件：109.38 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：174.83 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT3906	文件：256.25 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：121.58 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT3906isaDualPNPsmallsignalsurfacemounttransistor.It’ssuitableforlowpoweramplificationandswitch. FEATURES SuitableforLowPowerAmplificationandSwitching EpitaxialPlanarDieConstruction *Extremely-SmallSurfaceMountPackage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMDT3906	文件：446.77 Kbytes Page：7 Pages	40VDUALPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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技术参数

PCM(W)：
0.1
IC(A)：
0.2
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
40
VEBO(V)：
5
hFEMin：
100
hFEMax：
300
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(A)：
0.01
VCE(sat)(V)：
0.3
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.05
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.005
Package：
SOT-723

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	MMBT3906M	CJ/长电	2021+	SOT-723	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
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更多MMBT3906M供应商更新时间2025-7-29 14:00:00

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