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MMBT3904LP-7	文件：166.2 Kbytes Page：5 Pages	40V NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 40V • IC = 200mA High Collector Current • PD = 1000mW Power Dissipation • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Complementary PNP Type MMBT3906LP • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 文件：166.2 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT3904LP-7B	文件：166.2 Kbytes Page：5 Pages	40V NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 40V • IC = 200mA High Collector Current • PD = 1000mW Power Dissipation • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Complementary PNP Type MMBT3906LP • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 文件：166.2 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT3904LT1	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON General Purpose Transistor NPN Silicon 文件：265.1 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT3904LT1	文件：230.8 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN Silicon 文件：230.8 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT3904LT1	文件：40.72 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：40.72 Kbytes 页数：1 Pages	AVICTEK	AVICTEK
MMBT3904LT1	文件：80.17 Kbytes Page：2 Pages	Transistors (NPN) FEATURES ■ Power dissipation, PCM:0.2W (Tamb=25℃) ■ Collector current, ICM: 0.2A ■ Collector-base voltage, V(BR)CBO: 60V ■ Operating and storage junction temperature range: TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ ■ SOT-23 plastic-encapsulate package Device Marking: AM1 文件：80.17 Kbytes 页数：2 Pages	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
MMBT3904LT1	文件：43.05 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The MMBT3904LT1 is designed for general purpose switching amplifier applications. 文件：43.05 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
MMBT3904LT1	文件：164.6 Kbytes Page：6 Pages	丝印：1AM；Package：SOT-23；General Purpose Transistor(NPN Silicon) General Purpose Transistor NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：164.6 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3904LT1	文件：154.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR • Complementary Pair with MMBT3906LT1. • Collector Dissipation:Pc=225mW • Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V • NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：154.69 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
MMBT3904LT1	文件：664.57 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor • RoHS product for packing code suffix G, Halogen free product for packing code suffix H. • Weight : 0.008g 文件：664.57 Kbytes 页数：7 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.3
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.95
hFE Min：
100
hFE Max：
300
fT Min (MHz)：
300
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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