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MMBT3904LT1	文件：164.6 Kbytes Page：6 Pages	丝印：1AM；Package：SOT-23；General Purpose Transistor(NPN Silicon) General Purpose Transistor NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：164.6 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3904LT1	文件：265.1 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON General Purpose Transistor NPN Silicon 文件：265.1 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT3904LT1	文件：40.72 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：40.72 Kbytes 页数：1 Pages	AVICTEK	AVICTEK
MMBT3904LT1	文件：230.8 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN Silicon 文件：230.8 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT3904LT1	文件：154.69 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR • Complementary Pair with MMBT3906LT1. • Collector Dissipation:Pc=225mW • Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V • NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：154.69 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
MMBT3904LT1	文件：664.57 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor • RoHS product for packing code suffix G, Halogen free product for packing code suffix H. • Weight : 0.008g 文件：664.57 Kbytes 页数：7 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
MMBT3904LT1	文件：43.05 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The MMBT3904LT1 is designed for general purpose switching amplifier applications. 文件：43.05 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
MMBT3904LT1	文件：80.17 Kbytes Page：2 Pages	Transistors (NPN) FEATURES ■ Power dissipation, PCM:0.2W (Tamb=25℃) ■ Collector current, ICM: 0.2A ■ Collector-base voltage, V(BR)CBO: 60V ■ Operating and storage junction temperature range: TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ ■ SOT-23 plastic-encapsulate package Device Marking: AM1 文件：80.17 Kbytes 页数：2 Pages	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
MMBT3904LT1G	文件：218.31 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor Features • These Devices are PbïFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECïQ101 Qualified and PPAP Capable 文件：218.31 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3904LT1G	文件：119.96 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：119.96 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MMBT3906
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

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