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MMBT2907Q	文件：374.03 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2907W	文件：300.46 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor forswitchingandamplifierapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMDT2907A	文件：53.17 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYNPN/PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features&Benefits •ComplementaryPairsOne2222AType(NPN) •One2907AType(PNP) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT2907A	文件：128.479 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT2907A	文件：165.56 Kbytes Page：3 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailableMMDT2222A. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●ForLowpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT2907A	文件：201.98 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT2907A	文件：106.33 Kbytes Page：5 Pages	DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE60VoltsPOWER150mW FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-60V •CollectorcurrentIC=-600mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMDT2907A	文件：2.096 Mbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMulti-ChipTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT2907A	文件：334.8 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ComplementaryNPNTypeavailableMMDT2222A •Capableof200mWattsofPd,600mAcontinuouscollectorcurrent. •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •Epoxyme	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT2907A	文件：137.78 Kbytes Page：4 Pages	NPN&PNPGENERALPURPOSEAMPLIFIER DESCRIPTION TheUTCMMDT2907AisanDualPNPgeneralpurposeamplifier.it’ssuitableforamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
MMBT2907A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市拓亿芯电子有限公司	MMBT2907A_R1_00001	ON/安森美	23+	SOT23	15000	全新原装现货,价格优势	询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司	MMBT2907A_R1_00001		24+	N/A	73000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	MMBT2907A_R1_00001	PANJIT	24+	SOT23	60000	全新原装现货	询价
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更多MMBT2907A_Q供应商更新时间2025-5-28 16:35:00

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