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MMBT2907AL	文件：1.10508 Mbytes Page：8 Pages	SWITCHINGTRANSISTORPNPTRANSISTOR DESCRIPTION The MBT2907ALisavailableinSOT23Package FEATURES AvailableinSOT23Package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MMBT2907ARF	文件：316.99 Kbytes Page：3 Pages	350mW,PNPSmallSignalTransistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondat	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT2907ARFG	文件：316.99 Kbytes Page：3 Pages	350mW,PNPSmallSignalTransistor Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondat	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT2907AT	文件：54.32 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●BVCEO>-60V ●IC=-600mACollectorCurrent ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●ComplementaryNPNType:MMBT2222AT ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●Quali	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2907AT	文件：101.35 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT2907AT	文件：353.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2907AT	文件：99.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●Capableof150mWattsofPowerDissipation ●OperatingandStorageJunctionTemperatures-55°Cto150°C ●CollectorCurrent:-0.6A ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2907AT	文件：187.01 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT2222AT) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2907AT	文件：213.91 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2907AT	文件：161.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT2222AT). ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

详细参数

型号：
MMBT2907A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市拓亿芯电子有限公司	MMBT2907A_R1_00001	ON/安森美	23+	SOT23	15000	全新原装现货,价格优势	询价
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更多MMBT2907A_Q供应商更新时间2025-5-28 16:35:00

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