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MMBT2907	文件：237.54 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into one group according to its DC current gain. 文件：237.54 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MMBT2907	文件：119.71 Kbytes Page：2 Pages	Epitaxial planar die construction. FEATURES Epitaxial planar die construction. Ideal for medium power amplification and switching. 文件：119.71 Kbytes 页数：2 Pages	MAKOSEMI 美科半导体	MAKOSEMI
MMBT2907	文件：1.53865 Mbytes Page：4 Pages	丝印：M2B；Package：SOT-23；NPN Silicon PNP Silicon 文件：1.53865 Mbytes 页数：4 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT2907.	文件：315.66 Kbytes Page：8 Pages	PNP General-Purpose Transistor Description This device is designed for use with general-purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from process 63. 文件：315.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2907_D87Z	文件：315.66 Kbytes Page：8 Pages	PNP General-Purpose Transistor Description This device is designed for use with general-purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from process 63. 文件：315.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2907_V01	文件：1.51274 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222) 文件：1.51274 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MMBT2907A	文件：58.95 Kbytes Page：4 Pages	SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR ■ SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR ■ MINIATURE SOT-23 PLASTIC PACKAGE FOR SURFACE MOUNTING CIRCUITS ■ TAPE & REEL PACKING ■ THE NPN COMPLEMENTARY TYPE IS MMBT2222A APPLICATIONS ■ WELL SUITABLE FOR PORTABLE EQUIPMENT ■ SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITH 文件：58.95 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MMBT2907A	文件：237.54 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into one group according to its DC current gain. 文件：237.54 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MMBT2907A	文件：157.41 Kbytes Page：3 Pages	SMD General Purpose Transistor (PNP) Features • PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for Switching and Amplifier Applications • RoHS compliance 文件：157.41 Kbytes 页数：3 Pages	TAITRON	TAITRON
MMBT2907A	文件：193.39 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR FEATURES Epitaxial planar die construction. Complementary NPN type available (MMBT2222A) Ideal for Medium Power Amplification and Switching. 文件：193.39 Kbytes 页数：2 Pages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

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产品属性

产品编号：
MMBT2907A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3

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