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MMBT2907	文件：42.16 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 63. See PN2907A for characteristics. 文件：42.16 Kbytes 页数：2 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT2907	文件：315.66 Kbytes Page：8 Pages	PNP General-Purpose Transistor Description This device is designed for use with general-purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from process 63. 文件：315.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2907	文件：69.97 Kbytes Page：2 Pages	PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 文件：69.97 Kbytes 页数：2 Pages	Samsung 三星	Samsung
MMBT2907	文件：59.3 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：59.3 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
MMBT2907	文件：159.19 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Transistors PNP General Purpose Transistors 文件：159.19 Kbytes 页数：6 Pages	WEITRON	WEITRON
MMBT2907	文件：275.79 Kbytes Page：4 Pages	丝印：M2B；Package：SOT-23；PNP General Purpose Amplifier FEATURES ● Epitaxial planar die construction. ● Ideal for medium power amplification and switching. APPLICATIONS ● This device is designed as a general purpose amplifier and switching. 文件：275.79 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMBT2907	文件：139.45 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor (PNP) Features Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available (MMBT2222A) Ideal for Medium Power Amplification and Switching 文件：139.45 Kbytes 页数：5 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
MMBT2907	文件：130.09 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into one group according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor MMBT2222 and MMBT2222A are recommended. 文件：130.09 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
MMBT2907	文件：723.75 Kbytes Page：4 Pages	丝印：M2B；Package：SOT-23；TRANSISTOR (PNP) FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222) 文件：723.75 Kbytes 页数：4 Pages	SY 顺烨电子	SY
MMBT2907	文件：1.51274 Mbytes Page：4 Pages	丝印：M2B；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222) 文件：1.51274 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

产品属性

产品编号：
MMBT2907A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3

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更多MMBT290供应商更新时间2025-10-30 16:00:00

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