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MMBT2907A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号	MMBT2907A
参数属性	MMBT2907A 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3
功能描述	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	237.54 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	DGNJDZ
中文名称	南晶电子
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-30 23:00:00
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MMBT2907A规格书详情

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and AF amplifier applications.

The transistor is subdivided into one group

according to its DC current gain.

产品属性

产品编号：
MMBT2907A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3

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