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MMBR911LT1中文资料ADPOW数据手册PDF规格书

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厂商型号

MMBR911LT1

功能描述

NPN SILICON LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR

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148.4 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ADPOW

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更新时间

2025-10-9 18:20:00

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MMBR911LT1规格书详情

DESCRIPTION:

Designed for low noise, wide dynamic range front–end amplifiers and low–noise VCO’s. Available in a surface–mountable plastic package. This small–signal plastic transistor offers superior quality and performance at low cost.

FEATURES:

· High Gain–Bandwidth Product

fT = 7.0 GHz (Typ) @ 30 mA

· Low Noise Figure

NF = 1.7 dB (Typ) @ 500 MHz

· High Gain

GNF = 17 dB (Typ) @ 10 mA/500 MHz

· State–of–the–Art Technology

Fine Line Geometry

Ion–Implanted Arsenic Emitters

Gold Top Metallization and Wires

Silicon Nitride Passivation

· Available in tape and reel packaging options:

T1 suffix = 3,000 units per reel

产品属性

  • 型号:

    MMBR911LT1

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全称:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    NPN SILICON LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
量大可定ON
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