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MM74C910N	文件：394.53 Kbytes Page：10 Pages	256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
MM74C910N	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：18-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC RAM 256B PARALLEL 18DIP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MM74C910	文件：394.53 Kbytes Page：10 Pages	256-BitTRI-STATERandomAccessRead/WriteMemory	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
MM74C910J	文件：394.53 Kbytes Page：10 Pages	256-BitTRI-STATERandomAccessRead/WriteMemory	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

产品属性

产品编号：
MM74C910N
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型：
易失
存储器格式：
RAM
技术：
RAM
存储容量：
256b（64 x 4）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
18-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
18-PDIP
描述：
IC RAM 256B PARALLEL 18DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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