MM74C910N数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

厂商型号 |
MM74C910N |
参数属性 | MM74C910N 封装/外壳为18-DIP(0.300",7.62mm);包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC RAM 256B PARALLEL 18DIP |
功能描述 | IC RAM 256 PARALLEL 18DIP |
封装外壳 | 18-DIP(0.300",7.62mm) |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-12 17:00:00 |
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MM74C910N规格书详情
简介
MM74C910N属于集成电路(IC)的存储器。由制造生产的MM74C910N存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 制造商编号
:MM74C910N
- 生产厂家
:ONSEMI
- 存储器格式
:RAM
- 技术
:RAM
- 存储容量
:256b (64 x 4)
- 写周期时间 - 字,页
:-
- 访问时间
:500ns
- 存储器接口
:并联
- 电压 - 电源
:4.75 V ~ 5.25 V
- 工作温度
:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型
:通孔
- 封装/外壳
:18-DIP(0.300\,7.62mm)
- 供应商器件封装
:18-PDIP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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