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MM74C910N数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

MM74C910N

参数属性

MM74C910N 封装/外壳为18-DIP(0.300",7.62mm);包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC RAM 256B PARALLEL 18DIP

功能描述

IC RAM 256 PARALLEL 18DIP
IC RAM 256B PARALLEL 18DIP

封装外壳

18-DIP(0.300",7.62mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 17:00:00

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MM74C910N规格书详情

简介

MM74C910N属于集成电路(IC)的存储器。由制造生产的MM74C910N存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MM74C910N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 存储器格式

    :RAM

  • 技术

    :RAM

  • 存储容量

    :256b (64 x 4)

  • 写周期时间 - 字,页

    :-

  • 访问时间

    :500ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :4.75 V ~ 5.25 V

  • 工作温度

    :-40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型

    :通孔

  • 封装/外壳

    :18-DIP(0.300\,7.62mm)

  • 供应商器件封装

    :18-PDIP

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