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MM74C910

256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

文件:394.53 Kbytes 页数:10 Pages

TI

德州仪器

MM74C910J

256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

文件:394.53 Kbytes 页数:10 Pages

TI

德州仪器

MM74C910N

256-Bit TRI-STATE Random Access Read/Write Memory

文件:394.53 Kbytes 页数:10 Pages

TI

德州仪器

MM74C910N

IC RAM 256 PARALLEL 18DIP

ONSEMI

安森美半导体

MM74C910N

Package:18-DIP(0.300",7.62mm);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC RAM 256B PARALLEL 18DIP

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • 存储器格式:

    RAM

  • 技术:

    RAM

  • 存储容量:

    256b (64 x 4)

  • 访问时间:

    500ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    4.75 V ~ 5.25 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    18-DIP(0.300\,7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    18-PDIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NS
25+
SOT-23
18000
原厂直接发货进口原装
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24+
5000
公司存货
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原厂正品
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DIP-8P
5000
原装正品,假一罚十
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23+
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DIP18
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DIP18
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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更多MM74C910供应商 更新时间2025-10-10 17:06:00