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MAX5812PEUT	文件：268.54 Kbytes Page：13 Pages	12-BitLow-Power,2-Wire,SerialVoltage-OutputDAC GeneralDescription TheMAX5812isasingle,12-bitvoltage-output,digital-to-analogconverter(DAC)withanI2C™-compatible2-wireinterfacethatoperatesatclockratesupto400kHz.Thedeviceoperatesfromasingle2.7Vto5.5Vsupplyanddrawsonly100µAatVDD=3.6V.Alow-powerpower-dow	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MCH5812	文件：54.61 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiodeGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithaN-channelsilliconMOSFET(MCH3445)andaschottkybarrierdiode(SS10015M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedsw	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MK5812	文件：151.6 Kbytes Page：7 Pages	LowEMIClockGenerator	ICSTChina Resources Microelectronics Limited Limited 华润微电子华润微电子有限公司	ICST
MK5812	文件：384.14 Kbytes Page：11 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Pb(lead)freepackage,RoHScompliant •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsprintersandflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputf	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812SLF	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812SLFTR	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MRF5812	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF5812	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFMICROWAVETRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: •LowNoise–2.5dB@500MHz •Ftau–5.0GHz@10V,75mA •CostEffectiveSO-8package	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
MRF5812G	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
NTE5812	文件：15.21 Kbytes Page：1 Pages	6AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NTE5812	文件：19.79 Kbytes Page：1 Pages	NTE5812thruNTE58176AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NTE5812HC	文件：25.05 Kbytes Page：1 Pages	10AmpPlasticSiliconRectifier	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
PT5812	文件：212.62 Kbytes Page：11 Pages	20AOutputCurrent	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PT5812A	文件：202.22 Kbytes Page：11 Pages	20-A3.3-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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S5812	文件：27.18 Kbytes Page：1 Pages	DIGITALAUDIODATATRANSFORMER	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND

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产品属性

产品编号：
MK5812STR
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 时钟发生器，PLL，频率合成器
包装：
管件
类型：
时钟发生器
PLL：
是
输入：
时钟，晶体
输出：
LVCMOS
比率 - 输入：
1：1
差分 - 输入：
无/无
频率 - 最大值：
64MHz
分频器/倍频器：
无/是
电压 - 供电：
3V ~ 3.63V
工作温度：
0°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	MK5812STR	IDT	23+	8-SOIC	90000	百分百有货原盒原包装	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	MK5812STR	IDT, Integrated Device Technol	21+	8-SOIC	56200	一级代理/放心采购	询价
深圳市兴灿科技有限公司	MK5812STR	IDT	23+	SOIC-8	28500	授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售	询价
深圳市科雨电子有限公司	MK5812STR	IDT	20+	SOP-8	1001	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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深圳市吉铭电子科技有限公司	MK5812STR	IDT	21+	8SOIC	610880	本公司只售原装支持实单	询价
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深圳市永贝尔科技有限公司	MK5814	ICST	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价

更多MK5812STR供应商更新时间2024-5-21 10:50:00

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