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MJE520	文件：73.62 Kbytes Page：1 Pages	SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE370, MJE520 types are Complementary Silicon Power Transistors designed for use in general purpose amplifier and switching applications. 文件：73.62 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE520	文件：39.57 Kbytes Page：1 Pages	SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS MJE370, MJE520 types are Complementary Silicon Power Transistors designed for use in general purpose amplifier and switching applications. 文件：39.57 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJE521	文件：61.55 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The MJE521 is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in Jedec SOT-32 plastic package. It is intended for use in 5 to 20W audio amplifiers, general purpose amplifier and switching circuits. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE 文件：61.55 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower NPN Silicon Transistor These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching circuits. Recommended for use in 5 to 10 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry circuitry. Features • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc • Co 文件：67.68 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE521	文件：70.19 Kbytes Page：1 Pages	SILICON COMPLEMENTRY POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE371, MJE521 types are Complementary Silicon Power Transistors designed for use in general amplifier and switching applications. 文件：70.19 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE521	文件：128.78 Kbytes Page：4 Pages	4 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 40 VOLTS 40 WATTS Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor . . . designed for use in general–purpose amplifier and switching circuits. Recommended for use in 5 to 10 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry circuitry. • DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc • Complementary to 文件：128.78 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJE521	文件：142.94 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector–Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 40 V(Min) • DC Current Gain- : hFE = 40(Min) @ IC= 1A • Complement to Type MJE371 APPLICATIONS • Designed for use in general−purpose amplifier and switching circuits applications. 文件：142.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJE521G	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower NPN Silicon Transistor These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching circuits. Recommended for use in 5 to 10 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry circuitry. Features • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc • Co 文件：67.68 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE520	文件：77.76 Kbytes Page：1 Pages	SILICON COMPLEMENTRY POWER TRANSISTOR 文件：77.76 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE520	文件：258.51 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：258.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
MJE521
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD187,BD197,D310,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
999900
atest：
4
wtest：
40

产品属性

产品编号：
MJE521
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 1A，1V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 40V 4A TO126

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