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MJE520

SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE370, MJE520 types are Complementary Silicon Power Transistors designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

文件:73.62 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

MJE520

SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS

SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS MJE370, MJE520 types are Complementary Silicon Power Transistors designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

文件:39.57 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MJE520

SILICON COMPLEMENTRY POWER TRANSISTOR

文件:77.76 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

MJE520

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:258.51 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MJE520

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch

Central

MJE520

BJT

NJS

新泽西半导体

MJE520 PBFREE

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 30V 3A TO-126

CENTRAL

晶体管资料

  • 型号:

    MJE520

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD175,BD233,BD437,3DD19,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    25

技术参数

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    30V

  • Maximum DC Collector Current:

    3A

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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8000
原厂原包装,终端BOM表可配单
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16800
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更多MJE520供应商 更新时间2026-10-27 16:01:00