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MJE170	文件：102.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type MJE180/181/182 APPLICATIONS • For low power audio amplifier and low current high speed switching applications 文件：102.87 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJE170	文件：104.44 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：104.44 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJE170	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 ??60 ??80 VOLTS 12.5 WATTS 文件：83.18 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE170-TU	文件：1.30081 Mbytes Page：4 Pages	丝印：MJE170；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications 文件：1.30081 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MJE170	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Semiteh	Semiteh
MJE170	文件：300 bytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor	Secos 喜可士	Secos
MJE170	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
MJE170	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 3A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE170G	文件：125.78 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors Complementary Plastic Silicon Power Transistors The MJE170/180 series is designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 40 Vdc − MJE170, MJE180 = 60 Vdc − MJE171, 文件：125.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJE170_15	文件：110 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistor 文件：110 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

晶体管资料

型号：
MJE170
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD176,BD186,BD234,BD438,SCD373A,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
999900
atest：
3
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
MJE170
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.7V @ 600mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 40V 3A TO126

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