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MJE170	文件：1.30081 Mbytes Page：4 Pages	丝印：MJE170；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications 文件：1.30081 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
MJE170	文件：49.81 Kbytes Page：5 Pages	Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications PNP Epitaxial Silicon Transistor Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications 文件：49.81 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MJE170	文件：110 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES ● Low frequency amplifier ● Low current ● High speed switching applications 文件：110 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
MJE170	文件：135.7 Kbytes Page：4 Pages	PNP (LOW POWER AUDIO AMPLIFIER) PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW POWER AUDIO AMPLIFIER LOW CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS 文件：135.7 Kbytes 页数：4 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MJE170	文件：556.74 Kbytes Page：3 Pages	PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS MJE170, 171, 172 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS MJE180, 181, 182 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：556.74 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
MJE170	文件：71.77 Kbytes Page：1 Pages	SILICON COMPLEMENTRY POWER TRANSISTOR 文件：71.77 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE170	文件：228.62 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS 文件：228.62 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJE170	文件：130.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type MJE180/181/182 APPLICATIONS • For low power audio amplifier and low current high speed switching applications 文件：130.58 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJE170	文件：919.8 Kbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low Power Audio Amplifier ● Low Current, High Speed Switching Applications 文件：919.8 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MJE170	文件：95.68 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS ... designed for low power amplifier and low current, high speed switchii applications. FEATURES: * Collector-Emitter Sustaining VoHage- VCEO(SUS) =40 V (Min) - MJE170.MJE180 = 60 V (Min) - MJE171.MJE181 文件：95.68 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
MJE170
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD176,BD186,BD234,BD438,SCD373A,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
999900
atest：
3
wtest：
12.5

产品属性

产品编号：
MJE170
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.7V @ 600mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 40V 3A TO126

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