MJD5731中文资料1.0 A，350 V，高电压，PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MJD5731 |
| 参数属性 | MJD5731 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 350V 1A DPAK |
| 功能描述 | 1.0 A，350 V，高电压，PNP 双极功率晶体管 |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
| 人工找货 | MJD5731价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJD5731规格书详情
描述 Description
The High Voltage Bipolar PNPPower Transistor is designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply drivers and other switching applications.
特性 Features
• 350 V (Min)Vceo(sus)
• 1.0 A Rated Collector Current
• PNP Complement to the MJD47-50 Series
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
简介
MJD5731属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJD5731晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJD5731
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：1
- IC Cont. (A)
：1
- VCEO Min (V)
：350
- VCBO (V)
：-
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.5
- hFE Min
：30
- hFE Max
：175
- fT Min (MHz)
：10
- PTM Max (W)
：15
- Package Type
：DPAK-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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