MJD45H11T4中文资料Low voltage PNP power transistor数据手册ST规格书

描述 Description

These devices are manufactured using low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for general-purpose linear and switching applications.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage
• Fast switching speed

简介

MJD45H11T4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJD45H11T4晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。