MJD45H11中文资料80V,8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书
| 厂商型号 |
MJD45H11 |
| 参数属性 | MJD45H11 封装/外壳为TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 8A IPAK |
| 功能描述 | 80V,8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
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技术参数
- 制造商编号
：MJD45H11
- 生产厂家
：Galaxy
- AEC Qualified
：NO
- Pb Free
：YES
- Halide free
：YES
- Reach
：YES
- RoHS
：YES
- Marketing Status
：Active
- Polarity
：PNP
- V(BR)CEO(V)min.
：80
- IC(A)
：8
- hFEmin.
：60
- VCE (sat)(V)
：1
- IB(mA)
：400
- fT(MHz)min.
：40(typ)
- PD(W)max.
：20
- TJ(°C)max.
：150
- TJ(°C)min.
：-55
- ECCN(US)
：EAR99
- Category
：双极型晶体管
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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