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MJD45H11数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD45H11

参数属性

MJD45H11 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 8A IPAK

功能描述

80V,8A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名称

银河微

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJD45H11

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :NO

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • V(BR)CEO(V)min.

    :80

  • IC(A)

    :8

  • hFEmin.

    :60

  • VCE (sat)(V)

    :1

  • IB(mA)

    :400

  • fT(MHz)min.

    :40(typ)

  • PD(W)max.

    :20

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :双极型晶体管

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