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MJD45H11	文件：241.7 Kbytes Page：12 Pages	Marking：MJD45H11；Package：DPAK；80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor 1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD44H11 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Ele	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD45H11A	文件：242.38 Kbytes Page：12 Pages	Marking：MJD45H11A；Package：DPAK；80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor 1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD44H11A 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •El	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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MJD45H11

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Marking：MJD45H11；Package：DPAK；80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor

1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD44H11 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •Ele

安世安世半导体(中国)有限公司

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MJD45H11A

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Marking：MJD45H11A；Package：DPAK；80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor

1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD44H11A 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •El

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详细参数

型号：
MJD45H11
功能描述：
两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MJD45H11供应商更新时间2025-6-21 23:00:00

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