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MJD45H11分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

MJD45H11

参数属性

MJD45H11 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 8A IPAK

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistors

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

文件大小

342.97 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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更新时间

2025-10-10 9:38:00

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MJD45H11规格书详情

DESCRIPTION

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage

: VCE(sat)= -1.0V(Max)@ IC = -8A

·Fast Switching Speeds

·Complement to Type MJD44H11

·DPAK for Surface Mount Applications

APPLICATIONS

·Designed for general purpose power amplification and

switching such as output or driver stages in applications

such as switching regulators,converters and power amplifier.

产品属性

  • 产品编号:

    MJD45H11-1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    90MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 供应商器件封装:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 8A IPAK

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