MJD45H11分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJD45H11 |
| 参数属性 | MJD45H11 封装/外壳为TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 8A IPAK |
| 功能描述 | 80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DPAK / TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 文件大小 |
241.7 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
| 人工找货 | MJD45H11价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJD45H11规格书详情
1. General description
PNP high power bipolar transistor in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device
(SMD) plastic package.
NPN complement: MJD44H11
2. Features and benefits
• High thermal power dissipation capability
• High energy efficiency due to less heat generation
• Electrically similar to popular MJD45H series
• Low collector emitter saturation voltage
• Fast switching speeds
3. Applications
• Power management
• Load switch
• Linear mode voltage regulator
• Constant current drive backlighting application
• Motor drive
• Relay replacement
产品属性
- 产品编号：
MJD45H11-1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
- 频率 - 跃迁：
90MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商器件封装：
I-PAK
- 描述：
TRANS PNP 80V 8A IPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
TO-252 |
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