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MJD32CUQ	文件：384.05 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-100V •IC=-3AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-5APeakPulseCurrent •IdealforPowerSwitchingorAmplificationApplications •Comp	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MJD32CUQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	transistor-bjt-master-table; - BVCEO > -100V- IC = -3A High Continuous Collector Current- ICM = -5A Peak Pulse Current- Ideal for Power Switching or Amplification Applications- Complementary NPN Type: MJD31CUQ- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability- PPAP Capable (Note 4); This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
MJD32CUQ-13	文件：384.05 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MJD32CU；Package：TO-252；100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-100V •IC=-3AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-5APeakPulseCurrent •IdealforPowerSwitchingorAmplificationApplications •Comp	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MJD32CUQ-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 3A TO252	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
PNP
IC：
3 A
ICM：
5 A
PD：
2.1 W
hFE：
25 Min
hFE (@ IC)：
1 A
hFE (Min 2)：
10
hFE (@ IC2)：
3 A
VCE (SAT) Max：
1200 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
3
VCE (SAT) (Max.2)：
N/A mV
fT：
3 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
TO252 (DPAK)

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更多MJD32CUQ供应商更新时间2025-7-28 15:01:00

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