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MJD32CT4中文资料Low voltage PNP power transistor数据手册ST规格书

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厂商型号

MJD32CT4

参数属性

MJD32CT4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK

功能描述

Low voltage PNP power transistor
TRANS PNP 100V 3A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2026-3-9 23:00:00

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MJD32CT4规格书详情

描述 Description

The device is manufactured in planar technology with a “base island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

• Surface-mounting TO-252 power package in tape and reel
• Complementary to the NPN type MJD31CT4

简介

MJD32CT4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ST制造生产的MJD32CT4晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MJD32CT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 3A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO-252
2669
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
STMicroelectronics
25+
N/A
11543
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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ST
04+
TO-252
1881
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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ST
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
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TO-252
100000
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TO-252-3
860000
明嘉莱只做原装正品现货
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23+
TO-252-3 (DPAK)
50000
原装正品 支持实单
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原厂封装
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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