MJD32C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
MJD32C |
| 参数属性 | MJD32C 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 3A DPAK |
| 功能描述 | 3.0 A，100 V，PNP 双极功率晶体管 |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 10:46:00 |
| 人工找货 | MJD32C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MJD32C规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD31, MJD31C (NPN); and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (\"T4G\" Suffix)
• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
技术参数
- 制造商编号
：MJD32C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：1.2
- IC Cont. (A)
：3
- VCEO Min (V)
：100
- VCBO (V)
：100
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.8
- hFE Min
：10
- hFE Max
：50
- fT Min (MHz)
：3
- PTM Max (W)
：15
- Package Type
：DPAK-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
CJ/长电 |
22+ |
TO-251 |
15240 |
原装正品 |
询价 | ||
安森美 |
21+ |
12588 |
原装正品,价格优势量大可定 |
询价 | |||
MOT |
05+ |
原厂原装 |
351 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
ST |
18+ |
TO-252 |
13012 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
24800 |
正品原装货价格低 |
询价 | ||
CJ/长晶 |
24+ |
TO-252 |
45000 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
ON进口原装 |
2023+ |
TO-252 |
8635 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 | ||
MOTOROLA |
24+ |
252 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
Micro |
1942+ |
N/A |
2721 |
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