MJD32C中文资料3.0 A，100 V，PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书
MJD32C规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD31, MJD31C (NPN); and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (\"T4G\" Suffix)
• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
技术参数
- 制造商编号
：MJD32C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：1.2
- IC Cont. (A)
：3
- VCEO Min (V)
：100
- VCBO (V)
：100
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.8
- hFE Min
：10
- hFE Max
：50
- fT Min (MHz)
：3
- PTM Max (W)
：15
- Package Type
：DPAK-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
SOT252 |
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