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MJD3055T4

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

文件:78.33 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD3055T4G

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

文件:78.33 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD3055T4G

Complementary Power Transistors

文件:123.1 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD3055T4G

Complementary Power Transistors

文件:138.37 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD3055

10 A,60 V,NPN 双极功率晶体管

The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD2955 (PNP) and MJD3055 (NPN) are complementary devices. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)\n• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (\"-1\" Suffix)\n• Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (\"T4\" Suffix)\n• Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055\n• DC Current Gain Specified to 10 Amperes\n•;

ONSEMI

安森美半导体

MJD3055

60V,10A,Medium Power NPN Bipolar Transistor

Galaxy

银河微电

MJD3055

晶体管

JSCJ

长晶科技

MJD3055G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

MJD3055RLG

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

MJD3055T4

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJD3055

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    8V @ 3.3A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 10A DPAK

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更多MJD30供应商 更新时间2025-10-10 17:40:00