MJD112T4中文资料Low voltage NPN power Darlington transistor数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
MJD112T4 |
| 参数属性 | MJD112T4 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| 功能描述 | Low voltage NPN power Darlington transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 19:23:00 |
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MJD112T4规格书详情
描述 Description
The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration.
特性 Features
• Good hFE linearity
• High fT frequency
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
简介
MJD112T4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ST制造生产的MJD112T4晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
MJD112T4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
- 频率 - 跃迁：
25MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONFAI |
25+ |
TO-252 |
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ST/意法 |
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