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MJ11033	文件：53.63 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO= -120V(Min.) • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min.)@IC= -25A : hFE= 400(Min.)@IC= -50A • Complement to Type MJ11032 APPLICATIONS • Designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier appli 文件：53.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ11033	文件：84.48 Kbytes Page：2 Pages	High-Current Complementary Silicon Power Transistors High-Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ Ic = 25Adc hFE = 400 (Min)@ Ic = 50 Adc • Curves to 100 A (P 文件：84.48 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ11033	文件：154.67 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS . . . designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High Gain Darlington Performance • High DC Current Gain: hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 A hFE = 400 (Mi 文件：154.67 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
MJ11033	文件：153.97 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS High−Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc • Curves to 100 A 文件：153.97 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11030	文件：68.44 Kbytes Page：4 Pages	High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors 文件：68.44 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11030	文件：121.71 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Complementary Silicon Power Transistors 文件：121.71 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11030	文件：51.56 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：51.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ11030G	文件：121.71 Kbytes Page：4 Pages	High-Current Complementary Silicon Power Transistors 文件：121.71 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11030G	文件：68.44 Kbytes Page：4 Pages	High?묬urrent Complementary Silicon Power Transistors 文件：68.44 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJ11031	文件：53.6 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：53.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
MJ11032
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
50A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
300W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
120
htest：
999900
atest：
50
wtest：
300

产品属性

产品编号：
MJ11032
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.5V @ 500mA，50A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 25A，5V
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AE
供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
描述：
TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

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