MJ11033中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
MJ11033 |
| 参数属性 | MJ11033 封装/外壳为TO-204AE；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS PNP DARL 120V 50A TO204 |
| 功能描述 | High-Current Complementary Silicon Power Transistors |
| 文件大小 |
84.48 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-4-29 10:02:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
MJ11033三极管、MJ11033晶体管、MJ11033晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
120V
- 最大电流允许值：
50A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
300W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
50
- wtest：
300
MJ11033规格书详情
High-Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
Features
• High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ Ic = 25Adc
hFE = 400 (Min)@ Ic = 50 Adc
• Curves to 100 A (Pulsed)
• Diode Protection to Rated Ic
• Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature to + 200 °C
产品属性
- 产品编号：
MJ11033G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3.5V @ 500mA，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 25A，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AE
- 供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS PNP DARL 120V 50A TO204
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT/ON |
专业铁帽 |
TO-3 |
500 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2022+ |
TO-3 |
21966 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
ON |
16+ |
TO-3P |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
MOTOROLA |
21+ |
CAN |
9866 |
询价 | |||
ON |
23+ |
TO-3 |
3880 |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
询价 | ||
Infineon |
2022+ |
24TSSOP |
10386 |
询价 | |||
MOT |
TO-3 |
10000 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
6000 |
询价 | |||||
ON |
2021 |
N/A |
6000 |
询价 | |||
CHINA |
22+ |
TO-3 |
640 |
航宇科工半导体-央企合格优秀供方! |
询价 |
