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MI-SS-112LB	文件：375.83 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeRelay	GOODSKYGOOD SKY ELECTRIC CO., LTD. 国兴国兴电工股份有限公司	GOODSKY
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MJD112	文件：84.64 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Application ■Lin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD112	文件：306.48 Kbytes Page：6 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS2AMPERES100VOLTS20WATTS ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlastic	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJD112	文件：147.74 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112	文件：394.6 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTINBASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES •HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),VCE=4V,IC=1A. •LowCollector-EmitterSaturationVoltage. •StraightLead(IPAK,LSuffix) •ComplementarytoMJD117/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MJD112	文件：51.44 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications Features •HighDCCurrentGain •Built-inaDamperDiodeatE-C •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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