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MJD112	文件：295.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanerTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJD112	文件：299.08 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Leadformedforsurfacemountapplications(NOsuffix) •Straightlead(IPAK,“－I”suffix) •Built-inadamperdiodeatE-C •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Desi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD112	文件：382.92 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanerTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •HighDCCurrentGain •Built-inadamperdiode	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJD112	文件：90.16 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposePowerandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD112	文件：1.54779 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJD112	文件：543.92 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DpakforSurfaceMountApplications	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD112	文件：207.94 Kbytes Page：11 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112	文件：204.34 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJD112	文件：277.58 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD112	文件：296.52 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MI-SH-112LF供应商更新时间2025-7-21 15:30:00

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