MJD112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	MJD112
参数属性	MJD112 封装/外壳为TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
功能描述	SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
封装外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
文件大小	306.48 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	Motorola
中文名称	摩托罗拉
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-12-16 18:23:00
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MJD112规格书详情

Complementary Darlington Power Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)

• Surface Mount Replacements for TIP110–TIP117 Series

• Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors

• High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 2.0 Adc

• Complementary Pairs Simplifies Designs

产品属性

产品编号：
MJD112-1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

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