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MJD112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号	MJD112
参数属性	MJD112 封装/外壳为TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
功能描述	D-PAK for Surface Mount Applications
封装外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
文件大小	51.44 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Fairchild
中文名称	仙童半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-12-23 9:50:00
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晶体管资料

型号：
MJD112
别名：
MJD112三极管、MJD112晶体管、MJD112晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
G-217
vtest：
0
htest：
999900
atest：
2
wtest：
20

MJD112规格书详情

特性 Features

• High DC Current Gain

• Built-in a Damper Diode at E-C

• Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)

产品属性

产品编号：
MJD112-1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海市鑫鸿达电子	MJD112G	ON Semiconductor	2022+		1	全新原装货期两周	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	MJD112	ON/安森美	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	MJD112	CJ	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

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