MJD112中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
MJD112 |
| 参数属性 | MJD112 封装/外壳为TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
| 功能描述 | D-PAK for Surface Mount Applications |
| 文件大小 |
51.44 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
| 企业简称 |
Fairchild【仙童半导体】 |
| 中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-29 20:20:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
MJD112三极管、MJD112晶体管、MJD112晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Darl
- 性质：
低频或音频放大 （LF）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
20W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-217
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
20
MJD112规格书详情
Features
• High DC Current Gain
• Built-in a Damper Diode at E-C
• Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)
产品属性
- 产品编号：
MJD112-1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
- 频率 - 跃迁：
25MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商器件封装：
I-PAK
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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